GWM160-0055P3

IXYS | 场效应管模块

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL

原厂封装：ISOPLUS-DIL

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IXYS公司完整型号：GWM160-0055P3

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL

系列：-

FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：160A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：ISOPLUS-DIL

供应商器件封装：ISOPLUS-DIL

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GWM160-0055P3供应商-耐智电子

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