IXFA4N100Q

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

原厂封装：TO-263

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IXYS公司完整型号：IXFA4N100Q

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 25V

功率 - 最大值：150W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263 （IXFA）

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