IXFT16N120P

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

原厂封装：TO-268

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IXYS公司完整型号：IXFT16N120P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

系列：HiPerFET， PolarP2

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：16A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：120nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 25V

功率 - 最大值：660W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA

供应商器件封装：TO-268

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IXFT16N120P供应商-耐智电子

IXYS

IXYS

FET - 单

单路IGBT

外部开关MOSFET，电桥驱动器

单二极管整流器

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