VMM1000-01P

IXYS | 场效应管模块

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

原厂封装：Y3-Li

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IXYS公司完整型号：VMM1000-01P

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1000A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 800A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2355nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安装类型：底座安装

封装/外壳：Y3-Li

供应商器件封装：Y3-Li

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VMM1000-01P供应商-耐智电子

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