VMO580-02F

IXYS | 场效应管模块

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 200V 580A MODULE

原厂封装：Y3-Li

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IXYS公司完整型号：VMO580-02F

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 200V 580A MODULE

系列：HiPerFET?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：580A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 430A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 50mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2750nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：-

安装类型：底座安装

封装/外壳：Y3-Li

供应商器件封装：Y3-Li

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