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IPB093N04L G代理

IPB093N04L G

Infineon | 单端场效应管
制造厂商:Infineon(英飞凌)
功能简述:MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
原厂封装:PG-TO263-2
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  • Infineon英飞凌公司完整型号:IPB093N04L G
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 16μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2100pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:47W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
  • 耐智电子是国内领先的IPB093N04L G供应商
  • IPB093N04L G供应商-耐智电子
  • Infineon
    IPB067N08N3 G
  • Infineon
    IPB03N03LB
  • FET - 单
    IPP80N06S208AKSA2
  • 电机, 电桥式驱动器芯片
    BTM781GP
  • 单路晶体管(BJT)
    MMBTA 06 LT1
  • FET - 单
    BSS123NH6433XTMA1
  • IPB093N04L G是Infineon英飞凌公司的一款产品,Infineon代理商耐智电子全程提供IPB093N04L G现货支持、优势价格、充足货源,是国内领先的IPB093N04L G供应商。

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