IPG20N06S2L-35

Infineon | 场效应管阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

原厂封装：PG-TDSON-8-4

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Infineon英飞凌公司完整型号：IPG20N06S2L-35

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V

功率 - 最大值：65W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）

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