APTMC120AM20CT1AG

Microsemi | FET - 模块

制造厂商：Microsemi（美高森美）

功能简述：MOSFET N-CH 1200V SP1

原厂封装：*

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Microsemi美高森美完整型号: APTMC120AM20CT1AG

制造厂家名称: Microsemi Power Products Group

功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V SP1

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（相角）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 143A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 17 毫欧 @ 100A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 2mA（标准）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 360nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 5960pF @ 1000V

功率 - 最大值: 600W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *

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