PMDXB550UNEZ

NXP | FET - 阵列

制造厂商：NXP（恩智浦）

功能简述：MOSFET N-CH 30V DUAL DFN1010B-6

原厂封装：6-XFDFN

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NXP恩智浦完整型号: PMDXB550UNEZ

制造厂家名称: NXP Semiconductors

功能总体简述: MOSFET N-CH 30V DUAL DFN1010B-6

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 590mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 670 毫欧 @ 590mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.05nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 30.3pF @ 15V

功率 - 最大值: 285mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-XFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN1010B-6

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PMDXB550UNEZ供应商-耐智电子

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