2SJ665-DL-E

ON | 单端场效应管

制造厂商：ON（安森美）

功能简述：MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

原厂封装：SMP-FD

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ON安森美半导体完整型号：2SJ665-DL-E

制造厂家名称：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：27A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：77 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：74nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4200pF @ 20V

功率 - 最大值：1.65W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：SMP-FD

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