HSG1002VE-TL-E

Renesas | RF晶体管

制造厂商：Renesas（瑞萨）

功能简述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

原厂封装：4-MFPAK

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Renesas瑞萨完整型号：HSG1002VE-TL-E

制造厂家名称：Renesas Electronics America

描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

系列：-

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V

频率 - 跃迁：38GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

增益：8dB ~ 19.5dB

功率 - 最大值：200mW

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：4-SMD，鸥翼型

供应商器件封装：4-MFPAK

耐智电子是国内领先的HSG1002VE-TL-E供应商

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