NE3521M04-T2-A_NE3521M04-T2-A供应商_Renesas代理商耐智电子

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Renesas瑞萨完整型号: NE3521M04-T2-A

制造厂家名称: CEL （已被Renesas瑞萨收购）

功能总体简述: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

系列: -

晶体管类型: N 沟道 GaAs HJ-FET

电压 - 集射极击穿（最大值）: -

频率: 20GHz

增益: 11dB

频率 - 跃迁: -

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -

电压 - 测试: 2V

额定电流: 70mA

功率 - 最大值: -

噪声系数: 0.85dB

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -

电流 - 测试: 6mA

功率 - 输出: *

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -

安装类型: -

电压 - 额定: 4V

封装/外壳: 4-SMD，扁平引线

供应商器件封装:

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微控制器

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