过去，高压(HV)分立器件和产品开发包含一系列漫长的过程，在该过程中利用TCAD*来开发技术、制造与封装物理部件、进行测量并展开迭代校准周期。
由于设计人员采用SPICE而非TCAD模拟应用电路，因此通常在技术开发末期（即基于硅的SPICE模型最终可用时）才进行应用仿真并对其进行校准。技术如有任何变化或调整都要求在相应的分立SPICE模型可用于应用仿真之前进行新一轮的TCAD仿真、器件制造以及测量。
现在，新开发的物理可扩展SPICE模型集成了工艺技术，怎么找到Fairchild代理商位于设计流程的最前沿。凭借SPICE模型，设计人员可先模拟产品性能再进行器件制造，这样就能缩短设计和制造周期，进而降低成本并加快产品上市时间。
Fairchild已推出可扩展的物理SPICE级模型，适用于下列高压分立技术：
IGBT（FS沟道650 V）
超结FET（600 V和800 V SuperFET MOSFET）
高压二极管（STEALTH I、II型二极管和HyperFast系列二极管）
Fairchild高压SPICE模型是一种适用于整个技术平台的物理模型，而非那种针对每个器件尺寸以及工艺变化而开发的独立分立器件模型库。它能跟踪布局和工艺技术变更。
Fairchild全球销售与应用部门高级副总裁Chris Allexandre表示：“Fairchild专注于提供出色的高压设计平台。这些全新的SPICE模型不仅可实现虚拟原型设计，有助于我们的客户更快速地解决问题和开发新产品（上市时间最短），而且还是我们恪守承诺，提供优质服务，为客户创造显著价值的明证。”
欲了解更多信息，请访问我们的网站（SPICE模型： SIMetrix和PSPICE），另请即时下载Fairchild高压物理/可扩展SPICE模型。