三星成功扩大了从PC和移动存储到企业服务器市场的20纳米工艺的应用，三星电子有限公司，在内存中，技术的全球领导者，今天宣布，它是大规模生产行业最先进的8-gigabit（GB）的内存和32千兆字节（GB DDR4）模块，这两者都将基于一个新的20纳米（nm）的制造工艺技术，用于企业服务器。
“我们新的20nm 8GB ddr4 DRAM比满足高性能，高密度和能源效率的需求是推动下一代企业级服务器的增殖，说：”jeeho白，在三星电子存储器市场营销副总裁。“怎么找到三星芯片代理商通过扩大我们的20nm DRAM UPS生产线，我们将提供优质，高密度DRAM产品，而从客户在全球高端企业市场处理日益增加的需求。”
随着新的8GB ddr4，三星现在提供了一个完整的阵容20nm的DRAM领导一个20nm DRAM效率，还包括个人电脑和移动设备为20nm的4GB DDR3 6GB的LPDDR3的新时代。
使用新的8GB ddr4芯片，三星开始生产32GB注册双列直插内存模块（记忆体模组）本月早些时候。新的模块的数据传输速率高达每针2400兆位每秒（Mbps），它提供了约百分之29的性能提升相比，一个DDR3服务器模块1866 Mbps的带宽。
除了32GB的模块，新的8GB的芯片将允许使用一个采用三维硅通孔的最大容量的服务器组件生产128GB（TSV）技术，这将鼓励高密度DRAM市场进一步扩张。
新的高密度ddr4，还拥有完善的纠错功能，这将增加企业服务器内存的可靠性设计。此外，新的DDR4芯片和模块使用1.2伏，这是目前最低电压。