IXFA180N10T2

IXYS | 单端场效应管

制造厂商：IXYS（德国IXYS）

功能简述：MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

原厂封装：TO-263

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IXYS公司完整型号：IXFA180N10T2

制造厂家名称：IXYS

描述：MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

系列：GigaMOS， HiPerFET， TrenchT2

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：185nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10500pF @ 25V

功率 - 最大值：480W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线+接片），TO-263AA

供应商器件封装：TO-263 （IXFA）

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IXFA180N10T2供应商-耐智电子

IXYS

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外部开关MOSFET，电桥驱动器

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