IPG20N04S408ATMA1

Infineon | FET - 阵列

制造厂商：Infineon（英飞凌）

功能简述：MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8

原厂封装：8-PowerVDFN

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Infineon英飞凌公司完整型号: IPG20N04S408ATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 7.6 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 30μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2940pF @ 25V

功率 - 最大值: 65W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）

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